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炉筒升降支撑采用双立柱设计上筒和上盖可以上升并向两边转动上称重传感器用于晶棒直径的辅助控制。伺服电机和步进电机的混合使用，即可满足转动所需的扭矩，又可实现转速的控制。质量流量计控制氩气流量。自主产权的控制软件采用视窗，作方便简洁直观。多种曲线和数据交叉分析工具了工艺实时的。完整的工艺设定界面使计算机可以自动完成几乎所有的工艺过程。加热电源采用绿色纵向12脉冲直流电源。比传统直流电源节能近15%。特殊的温场设计使晶体提拉速度提高20-30%。一般为75～300mm，这个过程称为放肩，接着，突然提高拉速进行转肩作，使肩部近似直角，然后，进入等径工艺，通过控制热场温度和晶体提升速度，生长出一定直径规格大小的单晶柱体，后，待大部分硅溶液都已经完成结晶时，再将晶体逐渐缩小而形成一个尾形锥体，称为收尾工艺。

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的硅单晶体生长炉商之一。KAYEX的产品早在80年代初进入市场，已成为半导体行业使用多的品牌。该生长的硅晶体生长炉从抽真空－检漏－熔料－引晶－放肩－等径－收尾到关机的全过程由计算机实行全自动控制。晶体产品的完整性与均匀性好，直径偏差在单晶全长 0，KAYEX100PV。美国国外以美国KAYEX为代表KAYEX120PV。生产全自动硅单晶体生长炉。KAYEX是目前上大KEYEX150，Vision300型，投料 g。且可减少热 能及氩气消耗的直拉式单晶生长炉。实现本发明目的的技术方案是一种直拉式单晶生长炉，其包括 氩气输入管，与氩气输入管相连通的环形气体分布器，其特征在于经氩 气输入管输入的氩气气压为0. 8xl03Pa0. 9xl03Pa，氩气流量为 30L/min。上述技术方案中。本发明的目的是一种易于及时排出炉内的混合气体发明内容还包括设于直拉式单晶生长炉的坩埚支持器下方和 该部的排气口之间的气流导向装置以防止 因该中轴孔与石墨中轴之间的间隙而漏气抗氧化(2)本发明 的直拉式单晶生长炉中整个炉内的一氧化硅与氩气的混合气体(包 括坩埚支持器下方的混合气体)能通畅地排出炉外本发明的气流导向装置的一对通气孔与该炉的 一对排气口相 对设置，缩短了排气管路，利于提高排气效率。